井手 利英 | 産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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井手 利英
産業技術総合研究所
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井手 利英
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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奥村 元
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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沈 旭強
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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奥村 元
産業技術総合研
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清水 三聡
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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幾原 雄一
東京大学工学部総合研究機構
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松畑 洋文
産業技術総合研究所
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幾原 雄一
東京大学工学部
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奥村 元
産業技術総合研究所
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岩本 知広
熊本大学大学院自然科学研究科
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松畑 洋文
産総研エネルギー半導体エレ
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岩本 知広
東京大学工学部総合研究機構
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Shen Xu-Qiang
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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沈 旭強
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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沈 旭強
産業技術総合研究所
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幾原 雄一
東京大学工学系:東北大学WPI-AIMR:ファインセラミックスセンター
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園田 早紀
日本真空技術(株)
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清水 三郎
日本真空技術(株)
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幾原 雄一
東大工
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奥村 元
電子技術総合研究所
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原 史朗
産業技術総合研究所
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原 史朗
電子技術総合研究所
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原 史朗
独立行政法人産業技術総合研究所
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園田 早紀
(株)アルバック 技術開発部
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清水 三聡
電子技術総合研究所
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Jeganathan Kulandaivel
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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沈 旭強
電子技術総合研究所
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井手 利英
明治大学理工学部電子通信工学科
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清水 三郎
(株)アルバック 技術開発部第一研究部
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清水 三郎
日本真空技術
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原 史朗
独立行政法人 産業技術総合研究所
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清水 三聡
産業技術総合研究所
著作論文
- 超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- GaN初期成長におけるSi-ドーピング,GaNテンプレートの効果(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- MBE成長窒化物半導体の表面構造
- 二分割p型電極を用いたビーム偏向垂直共振器型面発光レーザ (特集 光波高度制御技術の研究)