MBE成長窒化物半導体の表面構造
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概要
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- 日本表面科学会の論文
- 2000-03-10
著者
-
園田 早紀
日本真空技術(株)
-
清水 三郎
日本真空技術(株)
-
奥村 元
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
奥村 元
電子技術総合研究所
-
沈 旭強
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
井手 利英
産業技術総合研究所
-
原 史朗
産業技術総合研究所
-
原 史朗
電子技術総合研究所
-
原 史朗
独立行政法人産業技術総合研究所
-
園田 早紀
(株)アルバック 技術開発部
-
清水 三聡
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
清水 三聡
電子技術総合研究所
-
Shen Xu-Qiang
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
沈 旭強
電子技術総合研究所
-
井手 利英
明治大学理工学部電子通信工学科
-
清水 三郎
(株)アルバック 技術開発部第一研究部
-
清水 三郎
日本真空技術
-
沈 旭強
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
井手 利英
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
原 史朗
独立行政法人 産業技術総合研究所
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