金属/6H-SiC界面で見いだされたショットキーリミットと電荷中性点
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 2000-12-10
著者
関連論文
- ハイパワーパルススパッタ(HPPS)グロー放電プラズマの放電開始特性
- 2p-YF-5 3C-SiC(001)-c(2×2)炭素終端表面の原子配列構造
- MBE成長窒化物半導体の表面構造
- 28p-Y-8 UHV-STMによる3C-SiC(001)-(3X2)表面の原子像観察
- 新機能素子研究開発の概要 (IT基盤研究開発 FED2001--2001年度新機能素子シンポジウム講演録)
- 新世代の局所クリーン化技術の最新動向 (特集 半導体工場/電子機器製造工場を支える周辺技術)
- 局所クリーンシステムの環境性能とその応用 (特集 半導体製造プロセスを支える周辺技術の最新動向)
- 表面準位密度制御による金属/半導体界面の電位障壁形成の新技術 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (表面物性と電子状態)
- 局所クリーン化洗浄技術 (特集 エレクトロニクス産業における洗浄)
- ごみ供給クレ-ンの自動運転システムについて
- 原子的尺度で見たシリサイド/シリコン界面の構造と性質--ショットキ-障壁の問題を中心として
- 多品種・変量時代の新世代局所クリーン化生産方式 (特集2 FPD製造工程のクリーン化技術)
- 局所クリーン化リサーチシステムと半導体表面・界面への応用
- ミニマルマニュファクチャリングと局所クリーン化生産システム
- ミニマルファブシステムの構想と実現に向けて
- fcc-Ti/6H-SiCの異相界面構造
- 金属/6H-SiC界面で見いだされたショットキーリミットと電荷中性点
- 金属/半導体界面のSchottky障壁制御技術における新展開 (特集 材料科学)
- 7p-YH-3 SiC表面の原子配列とその制御
- SiCにおける表面構造の本質的乱れ
- 3C-SiCの表面解析と原子層制御の試み (耐放射線半導体基礎技術) -- (耐熱・耐放射線半導体材料の開発)
- ミニマルファブによる半導体工場イノベーション
- LSI産業を変えるミニマルファブ構想の進展