原 史朗 | 電子技術総合研究所

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概要

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• 原 史朗

  産業技術総合研究所

• 原 史朗

  電子技術総合研究所

• 原 史朗

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 原 史朗

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 大串 秀世

  電子技術総合研究所

• 吉田 貞史

  電子技術総合研究所

• 園田 早紀

  日本真空技術(株)

• 清水 三郎

  日本真空技術(株)

• 柴田 典義

  (財)ファインセラミックスセンター材料技術研究所

• 三沢 俊司

  電総研

• 幾原 雄一

  東京大学工学部

• 奥村 元

  産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 奥村 元

  電子技術総合研究所

• 菅原 義弘

  ファインセラミックスセンター

• 菅原 義弘

  財団法人ファインセラミックスセンター

• 梶村 皓二

  電子技術総合研究所

• 沈 旭強

  産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 井手 利英

  産業技術総合研究所

• 北村 順也

  電子技術総合研究所

• 大串 秀世

  電子技術総合研究所材料科学部

• 三沢 俊司

  日本真空超材研

• 園田 早紀

  (株)アルバック 技術開発部

• 清水 三聡

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 清水 三聡

  電子技術総合研究所

• Shen Xu-Qiang

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 沈 旭強

  電子技術総合研究所

• 井手 利英

  明治大学理工学部電子通信工学科

• 清水 三郎

  (株)アルバック 技術開発部第一研究部

• 清水 三郎

  日本真空技術

• 沈 旭強

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 井手 利英

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 柴田 典義

  Japan Fine Ceramics Center

• 菅原 義弘

  (財)ファインセラミックスセンター

• 幾原 雄一

  東京大学工学系:東北大学WPI-AIMR:ファインセラミックスセンター

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著作論文

• 2p-YF-5 3C-SiC(001)-c(2×2)炭素終端表面の原子配列構造
• MBE成長窒化物半導体の表面構造
• fcc-Ti/6H-SiCの異相界面構造
• 金属/6H-SiC界面で見いだされたショットキーリミットと電荷中性点
• 7p-YH-3 SiC表面の原子配列とその制御
• SiCにおける表面構造の本質的乱れ

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