大串 秀世 | 電子技術総合研究所材料科学部
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概要
関連著者
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大串 秀世
電子技術総合研究所材料科学部
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大串 秀世
電子技術総合研究所
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三沢 俊司
電総研
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大串 秀世
電総研
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吉田 貞史
電子技術総合研究所
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梶村 皓二
電子技術総合研究所
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竹内 大輔
産業技術総合研究所新炭素系材料開発研究センター
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大串 秀世
産総研:crest科技機構
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産業技術総合研究所
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電子技術総合研究所
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電子技術総合研究所材料科学部
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電子技術総合研究所
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日本真空超材研
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電子技術総合研究所, 材料科学部
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電総研
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独立行政法人 産業技術総合研究所
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竹内 大輔
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
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竹内 大輔
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
著作論文
- ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成-電子デバイスへの適用をめざして-
- 2p-YF-5 3C-SiC(001)-c(2×2)炭素終端表面の原子配列構造
- ダイヤモンドの電子材料への応用
- 水素化アモルファスシリコンの電子状態