大串 秀世 | 産総研:crest科技機構
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概要
関連著者
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大串 秀世
産総研:crest科技機構
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竹内 大輔
産業技術総合研究所新炭素系材料開発研究センター
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竹内 大輔
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
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竹内 大輔
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
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渡邊 幸志
産総研:crest科技機構
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市野瀬 英喜
東京大学工学系研究科
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市野瀬 英喜
東京大学生産技術研究所
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沢田 英敬
東京大学工学系研究科
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渡邊 幸志
産業技術総合研究所新炭素系材料開発研究センター
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大串 秀世
産業技術総合研究所新炭素系材料開発研究センター
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山中 貞則
産業技術総合研究所新炭素系材料開発研究センター
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菅野 正吉
茨城大,産総研
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菅野 正吉
茨城大 産総研
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大串 秀世
産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
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渡邊 幸志
産業技術総合研究所
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加藤 宙光
産業技術総合研究所
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渡邊 幸志
産総研
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菅野 正吉
CREST科技機構
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大串 秀世
産総研
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加藤 宙光
早稲田大
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小倉 政彦
産総研エネルギー技術
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竹内 大輔
産業技術総合研
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加藤 宙光
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門
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牧野 俊晴
産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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加藤 宙光
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
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大串 秀世
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
-
小倉 政彦
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
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牧野 俊晴
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
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加藤 宙光
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
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竹内 大輔
(独)産業技術総合研究所
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市野瀬 英喜
東大・工
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大串 秀世
電総研
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大串 秀世
(独)産業技術総合研究所 ダイアモンド研究センター
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関ロ 隆史
物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
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三宅 圭一
東京大学新領域創成科学研究科
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沢田 英敬
東大・工
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中之瀬 恩
日産自動車
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竹内 大輔
電総研
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大串 秀世
電子技術総合研究所材料科学部
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菅野 正吉
産業技術総合研究所
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竹内 大輔
電子技術総合研究所, 材料科学部
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山中 貞則
産業技術総合研
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大串 秀世
電子技術総合研究所
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山崎 聡
(独)産業技術総合研究所
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小倉 政彦
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
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松本 翼
筑波大学数理物質科学研究科
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竹内 大輔
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門
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牧野 俊晴
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門
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山崎 聡
筑波大学数理物質科学研究科
-
牧野 俊晴
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
-
大串 秀世
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
-
松本 翼
筑波大学数理物質科学研究科:(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
著作論文
- 28pXQ-6 高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の高密度エキシトン状態からの非線形発光現象(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
- 22aTB-5 高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の高密度エキシトン状態からの発光
- 高品質ダイヤモンド膜中欠陥の CL とHRTEM観察
- ダイヤモンド/金属界面の高分解能電顕写真
- CVDダイヤモンド結晶粒界の原子構造
- 大電流電子照射によるダイヤモンドからの光放射
- 科学解説 ホモエピタキシャル成長による高品質ダイヤモンド薄膜--平坦化機構と高品質化機構
- 低濃度メタンガスを用いた高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成
- ダイヤモンド薄膜のキャリヤ移動度で世界最高--電子デバイス用ダイヤモンド薄膜の開発さらに前進
- ダイヤモンドの電子材料への応用
- ダイヤモンド半導体の特異な物性とデバイス展開 : 負性電子親和力と電子放出PNダイオード (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
- ダイヤモンド半導体/金属界面の電気的特性制御 : p型・n型ダイヤモンドの現状と課題(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ダイヤモンド半導体の特異な物性とデバイス展開 : 負性電子親和力と電子放出PNダイオード