ダイヤモンド半導体の特異な物性とデバイス展開 : 負性電子親和力と電子放出PNダイオード
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-11-10
著者
-
加藤 宙光
産業技術総合研究所
-
竹内 大輔
産業技術総合研究所新炭素系材料開発研究センター
-
大串 秀世
産総研:crest科技機構
-
加藤 宙光
早稲田大
-
小倉 政彦
産総研エネルギー技術
-
山崎 聡
(独)産業技術総合研究所
-
加藤 宙光
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門
-
牧野 俊晴
産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
-
加藤 宙光
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
-
竹内 大輔
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
-
大串 秀世
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
-
小倉 政彦
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
-
牧野 俊晴
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
-
竹内 大輔
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
-
加藤 宙光
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
-
竹内 大輔
(独)産業技術総合研究所
関連論文
- 28pXQ-6 高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の高密度エキシトン状態からの非線形発光現象(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
- 22aTB-5 高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の高密度エキシトン状態からの発光
- 正確に0.2ナノメートルを測れますか?--ダイヤによるナノスケール標準試料の可能性
- 地震大国が誇る免震技術
- 地震大国が誇る免震技術
- 高品質ダイヤモンド膜中欠陥の CL とHRTEM観察
- ダイヤモンド/金属界面の高分解能電顕写真
- CVDダイヤモンド結晶粒界の原子構造
- 30p-P-5 Al-Si合金にイオン注入した水素のアニール挙動
- ヒートポンプの最新技術動向
- 大電流電子照射によるダイヤモンドからの光放射
- 科学解説 ホモエピタキシャル成長による高品質ダイヤモンド薄膜--平坦化機構と高品質化機構
- PECVD堆積シリコン酸化窒化膜の電気特性
- プラズマCVD堆積SiO_2薄膜の絶縁破壊電界におよぼす フッ素添加の効果
- 励起子によるダイヤモンド紫外線LED (特集 紫外-可視-赤外 最新半導体光源の可能性)
- 技術トピック ダイヤモンドによる高効率紫外線発光ダイオード
- 低濃度メタンガスを用いた高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成
- ダイヤモンド薄膜のキャリヤ移動度で世界最高--電子デバイス用ダイヤモンド薄膜の開発さらに前進
- ダイヤモンドの電子材料への応用
- ダイヤモンドで深紫外線LEDを その用途と可能性 (特集 低炭素社会を支える次世代照明)
- 30p-YK-3 シリコン添加されたアルミニウムに於ける水素の熱的挙動IV
- 28p-E-4 シリコン添加されたアルミニウムに於ける水素の熱的挙動III
- 24pxA-2 軟X線光電子分光によるn型リンドープダイヤモンドの電子構造の研究(ダイヤモンド・Si超伝導,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 22pGQ-10 水素化ダイヤモンド表面上のリン原子と原子空孔のエナージェティクス(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 電力の安定供給を支える架空送電線技術 I
- ヒートポンプの最新技術動向
- 25pRB-11 ダイヤモンド中の単一NV中心による室温でのベル測定の実験研究(25pRB 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- プラズマ化学気相堆積法によるハフニウムシリケート膜の堆積
- 電力の安定供給を支える架空送電線技術 I
- シリコン酸化過程の欠陥生成その場観察
- 電力の安定供給を支える架空送電線技術II
- 31a-M-8 シリコン添加されたアルミニウムに於ける水素の熱的挙動II
- 29p-N-7 シリコン添加されたアルミニウムに於ける水素の熱的挙動
- 31a-YC-6 Al-Ti合金中の水素のアニーリング挙動
- ダイヤモンド紫外線発光デバイス
- 21aED-1 ダイヤモンド中の単一NV中心による室温でのベル測定の実験研究(21aED 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理・量子計算・量子ビット),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 暮らしの振動でエコします! : 振動力発電
- 固体物理の応用 ダイヤモンド半導体のユニークな特性とその応用
- 環境にやさしい水冷媒の冷凍機
- 固体初の室温動作する電流注入型単一光子発生素子
- ダイヤモンド半導体の特異な物性とデバイス展開 : 負性電子親和力と電子放出PNダイオード (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
- プラズマCVD法によるステップフリーダイヤモンド(111)表面の形成(ダイヤモンド成長)
- ダイヤモンド半導体/金属界面の電気的特性制御 : p型・n型ダイヤモンドの現状と課題(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ダイヤモンド半導体の特異な物性とデバイス展開 : 負性電子親和力と電子放出PNダイオード