ダイヤモンド半導体/金属界面の電気的特性制御 : p型・n型ダイヤモンドの現状と課題(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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ダイヤモンド半導体は,絶縁破壊電界や熱伝導率が優れているだけではなく,室温で安定な自由励起子や負性電子親和力,低抵抗高密度不純物ドーピング(ホッピング伝導)などユニークで魅力的な性質も兼ね揃えている.このため,シリコン半導体の置き換えではない,ダイヤモンド特有のユニークな性質を生かしたダイヤモンド電子デバイスが期待される.本報告では,ダイヤモンド半導体の課題であるn型ダイヤモンド半導体/金属界面の接触抵抗低減を中心に,p型ダイヤモンド半導体/金属界面とn型ダイヤモンド半導体/金属界面の過去の知見と現状を紹介する.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-06-14
著者
-
加藤 宙光
産業技術総合研究所
-
竹内 大輔
産業技術総合研究所新炭素系材料開発研究センター
-
大串 秀世
産総研:crest科技機構
-
大串 秀世
(独)産業技術総合研究所 ダイアモンド研究センター
-
加藤 宙光
早稲田大
-
小倉 政彦
産総研エネルギー技術
-
小倉 政彦
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
-
松本 翼
筑波大学数理物質科学研究科
-
加藤 宙光
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門
-
竹内 大輔
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門
-
牧野 俊晴
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門
-
山崎 聡
筑波大学数理物質科学研究科
-
牧野 俊晴
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
-
牧野 俊晴
産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
-
加藤 宙光
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
-
大串 秀世
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
-
竹内 大輔
(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
-
松本 翼
筑波大学数理物質科学研究科:(独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研
-
大串 秀世
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
-
小倉 政彦
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
-
牧野 俊晴
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
-
竹内 大輔
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
-
加藤 宙光
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
-
竹内 大輔
(独)産業技術総合研究所
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