プラズマCVD法によるステップフリーダイヤモンド(111)表面の形成(<特集>ダイヤモンド成長)
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概要
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我々はマイクロ波プラズマ化学気相堆積法を用いたダイヤモンド(111)のホモエピタキシャル成長モードの制御に関して取り組んできた.その結果,テラス上での2次元核形成を完全に抑制し,ステップ端のみを成長の起点にしたラテラル成長を実現した.メサ構造を持つ単結晶ダイヤモンド(111)基板を用いて,そのラテラル成長を行うことで,100×100μm^2のメサ表面上に原子レベルで完全に平坦なステップフリーダイヤモンド(111)表面を形成することに成功した.一方,同一基板上のメサ表面では成長丘も観察された.その成長丘は,螺旋転位や混合転位を核としたスパイラル成長により形成されることを明らかにした.
- 2013-01-00
著者
-
山崎 聡
産総研ナノテク部門
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猪熊 孝夫
金沢大学大学院自然科学研究科
-
徳田 規夫
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
山崎 聡
筑波大学 電子・物理工学専攻
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山崎 聡
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
-
山崎 聡
産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
-
牧野 俊晴
産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
-
徳田 規夫
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
徳田 規夫
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻:産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
-
牧野 俊晴
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
-
牧野 俊晴
産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門
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