ED2000-99 カルコゲン元素が吸着したGaAs(100)表面の電子状態解析
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概要
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硫黄やセレンなどのカルコゲン原子を用いた表面処理は化合物半導体のパッシベーション法として注目されている。しかし、同じカルコゲン原子でありながら、化合物半導体表面への酸素吸着や酸化過程の詳細など酸素の振舞いについてはわからないことが多い。我々は酸素を含むカルコゲン原子(O、S、Se、Te)がGaAs(100)表面に吸着した時の電子状態をモデルクラスターを用いたDV-Xα分子軌道計算法により解析した。カルコゲン原子とGaの結合はバンドギャップ中の表面準位を大幅に低減させるが、Asとの結合は顕著な低減を引き起こさない。これはGa、Asとカルコゲン原子との間で形成される反結合軌道がエネルギーバンドのどの位置に現れるのかということが関わっている。またPopulation解析の結果は、GaAsと酸素との結合がイオン性の強い結合であるのに対して、他のカルコゲン原子との結合は共有結合性の強い結合であることを示唆している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-20
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
-
山村 要一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
猪熊 孝夫
金沢大学大学院自然科学研究科
-
葛西 悠葵
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
山村 要一
金沢大学工学部電気電子システム工学科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
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