MEMSを用いた方向性結合器型光スイッチング素子の有限要素法解析(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
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概要
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Si光導波路を用いた位相制御型光スイッチング素子は、一般的に熱光学効果を用いるため、消費電力が大きい。そこで、MEMSを用いて方向性結合器の導波路間ギャップを制御する新しい光スイッチング素子を提案する。構造上、定常電流が流れないため、低消費電力化が期待できる。有限要素法を用いてスイッチング特性の解析を行い、印加電圧4.5Vで消光比30dB以上でのスイッチングが可能である事を明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-05-21
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
稲本 慎
金沢大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
丸山 武男
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
稲本 慎
金沢大学大学院 自然科学研究科
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