GaAs (100) Ga面への酸素・窒素吸着による表面歪み : 分子軌道計算による評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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(1×1)-(100)Ga端GaAsを表す小さなクラスターモデルを第一原理計算を用いて計算することによりGaAs上への酸素または窒素吸着(GaAs酸化または窒化)の影響を調べた。計算結果は、GaAs表面の酸化の場合、圧縮応力が起こるが、窒化の場合はさほど応力がかからないことを示した。この結果から、酸化で乱れた結晶を窒化すると結品性は改善に向かうという実験事実を部分的に説明することができる。また、化合物半導体をGaAsからInAlAsに換え、同様の計算を行った。計算結果から、InAlAsの酸化、窒化はいずれも結晶に応力がかかるという結果を得た。実際の酸化や窒化で絶縁膜とGaAsの境界がどのような結合構造になっているかが確認されていないので、計算結果が実験結果を証明している訳ではないが、歪み応力の観点から見ると、多くの実験結果が矛盾なく理解できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-04
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
瀬戸 大樹
金沢大学大学院自然科学研究科
-
宮村 悟史
金沢大学大学院自然科学研究科
-
猪熊 孝夫
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
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