アモルファスシリコン光導電素子の周波数応答(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
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概要
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これまで、アモルファスシリコン(a-Si)光導電素子の静特性については多数報告されてきたが、動特性に関する報告はほとんどなかった。そこで、我々はa-Si光導電素子を作製し、波長650nmにおける感度および周波数特性評価を行った。電極パターンはフォトリソグラフィによって形成し、リフトオフ法によりNiを蒸着した。a-SiはSiO_2基板上にCat-CVD法により1.2μm厚堆積させたものを使用した。受光部は櫛型電極構造を形成しており、受光部面積は50μm×50μm、電極幅・電極間隔はそれぞれ1μm、3μmである。作製した素子の特性評価を行ったところ、波長650nmにおいて最大感度4.6mA/W、最大帯域18MHz@V_<bias>=50Vを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-10
著者
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学
-
大平 圭介
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
大平 圭介
北陸先端科学技術大学院
-
丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
丸山 武男
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
乙坂 英志
金沢大学大学院自然科学研究科
-
河原 健志
金沢大学大学院自然科学研究科
-
大平 圭介
北陸先端科学技術大学院大学
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