Alレジスト膜による新プロセスで形成した酸窒化ゲート絶縁膜GaAs-MISFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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化合物半導体MIS構造デバイスを実現するため、我々はこれまでにGaAsについては酸窒化が良好な絶縁膜/半導体界面形成の手段となることを明らかにした。しかし、従来のプロセスでは窒素プラズマによるレジストアッシングの問題からプラズマ処理時間が制限され、充分な窒化を行うことが困難であった。本研究では、レジストアッシング問題を回避するために、通常のレジストの代わりにAl膜を使用するプロセスを考案し、その新プロセスによりGaAs-MISFETを試作した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-03
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
-
ポール ナラヤン・チャンドラ
金沢大学大学院自然科学研究科
-
武部 正英
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
武部 正英
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
為頭 美斗子
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
藤農 佑樹
金沢大学大学院自然科学研究科
-
瀬戸 大樹
金沢大学大学院自然科学研究科
-
ポール ナラヤン
金沢大学大学院自然科学研究科
-
ナラヤン・チャンドラ ポール
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
ポール ナラヤン
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
武部 正英
金沢大学大学院 自然科学研究科
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