GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするn-チャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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絶縁膜としてGaAs表面を酸化した後、さらに窒化を施すことで形成したGaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とする、nチャネル(n-ch)エンハンスメント/反転型のGaAs-MISFETの試作を行った。その結果酸化のみによるMOS-FETと比べるとMISFETではピンチオフ特性、ヒステリシス特性に改善が見られた。また、相互コンダクタンスについては50mS/mm(Vth〜0V)、20mS/mm(Vth〜1V)のものが確認されており、従来報告のあったGaAs-MOSFETに比べ10〜100倍の値を得ることが出来た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-04
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
-
ポール ナラヤン・チャンドラ
金沢大学大学院自然科学研究科
-
武部 正英
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
武部 正英
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
為頭 美斗子
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
ポール ナラヤン
金沢大学大学院自然科学研究科
-
ポール ナラヤ・チャンドラ
金沢大学大学院自然科学研究科
-
ナラヤン・チャンドラ ポール
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
武部 正英
金沢大学大学院 自然科学研究科
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