GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするnチャネルpチャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(半導体材料・デバイス)
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概要
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絶縁膜としてGaAs表面を酸化した後, 更に窒化を施すことで形成したGaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするnチャネル, pチャネル, エンハンスメント/反転型のGaAs-MISFETの試作を行った.その結果酸化のみによるMOSFETと比較しMISFETではピンチオフ特性, ヒステリシス特性に改善が見られた.また, 相互コンダクタンスについてはnチャネルのもので62mS/mm(V_<th>〜0V), 41mS/mm (V_<th>〜1V), 14mS/mm(V_<th>=V_<flat>(=1.1V))のものが確認されており, 従来報告のあったGaAs-MOSFETに比べ10〜100倍の値を得ることができた.一方, pチャネルのものではMISFETで約9mS/mmを実現している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-07-01
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
-
武部 正英
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
武部 正英
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
為頭 美斗子
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
チャンドラ ポール
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
武部 正英
金沢大学大学院 自然科学研究科
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