GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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概要
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GaAs基板上にメタモルフィック結晶成長させたInAlAs層を用いたMSM光検出器を作製し,波長0.8μm帯での特性を評価した.受光面積は30μm x 30μmとし,電極間隔を2μm, 1μm, 0.4μmとした.電極間隔1μmの光検出器において,-5V印加時で暗電流0.5nAを得た.波長830nmにおいて,-5V印加時で感度0.11A/Wを得た.波長850nmにおいて,-20V印加時で最大帯域8GHzを得た.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-06-14
著者
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
丸山 武男
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
前北 和晃
金沢大学大学院自然科学研究科
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