21aYC-6 浅いIn_<0.5>Ga_<0.5>As/In_<0.5>Al_<0.5>As逆HEMT構造におけるRashbaスピン軌道相互作用(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2005-08-19
著者
-
山田 省二
北陸先端大ナノセ
-
赤堀 誠志
北陸先端大ナノセンター
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学
-
佐藤 拓
JAIST
-
掛川 智康
北陸先端大ナノセンター
-
佐藤 拓
北陸先端大ナノセンター
-
鈴木 寿一
北陸先端大ナノセンター
-
Choi H.
北陸先端大ナノセンター
-
橘田 芳仁
北陸先端大ナノセンター
-
山田 省二
北陸先端大ナノセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端大ナノセ
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
-
山田 省二
北陸先端大、新素材センター
-
山田 省二
北陸先端大
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