赤堀誠志 | 北陸先端大ナノセ

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概要

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著作論文

23aHW-4 InGaAs2次元電子ガス系新構造におけるスピン注入(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
23aHW-3 ダブルドープした高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ構造の電子輸送特性(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
28pXB-11 傾斜磁場を用いたInGaSb-2DEGのスピン分裂の評価とその起源(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
28pXB-10 浅いInGaAs/InAlAs逆HEMT構造におけるゼロ磁場スピン軌道相互作用(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
21aYC-6 浅いIn_Ga_As/In_Al_As逆HEMT構造におけるRashbaスピン軌道相互作用(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
26pZC-8 高In組成InGaSb/InAlSb系2DEGにおけるスピン分裂(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
26pZC-7 高In組成InGaAs/InA1Asヘテロ接合細線におけるRashba相互作用のサイドゲートによる制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
21aYC-7 狭ギャップヘテロ接合2次元電子ガスチャネルにおけるRashbaスピン軌道相互作用のサイドゲート制御(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
13aYB-8 NiFe/InGaAs 接合を有する二端子素子のスピン伝導特性(半導体スピン物性, 領域 4)
13aYB-5 サイドゲートを用いた高 In 組成 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合におけるスピン-軌道相互作用の制御(半導体スピン物性, 領域 4)
20pTL-4 InAs/In_Al_As 変調ドープヘテロ構造を利用した NiFe/2DEG 接合のスピン伝導特性
20pTL-3 高 In 組成 InGaAs/InAlAs 拡散的細線における Rashba effect
28aZK-8 In_Ga_As/In_Al_As ヘテロ接合擬一次元構造におけるスピン依存伝導
28aYF-2 ピコ秒フォノンパルスで見る GaAs エアギャップ構造中の超高速キャリアダイナミクス
26aWQ-6 InGaAs/InAlAs 2層2次元電子ガス系試料の極低温伝導面内異方性と構造解析(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
26aWQ-5 InGaAs/InAlAs2次元電子ガス系における強磁場下磁気抵抗とスピン分裂磁場依存性(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
25pRP-4 狭ギャップ2次元電子ガスにおけるスピン軌道相互作用の競合と2層系の物理(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
25pRP-4 狭ギャップ2次元電子ガスにおけるスピン軌道相互作用の競合と2層系の物理(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
26aHD-9 温度変化磁気抵抗によるInGaAs/InAlAs2層2次元電子ガス系サブバンド構造の解析(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
26aHD-8 CoFe電極を用いた高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入実験(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
21aTL-7 非局所配置による高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入検証(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
21aTL-10 InGaAs 2次元電子系のテラヘルツサイクロトロン共鳴(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
21aTL-9 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系の層毎のスピン軌道相互作用と電子有効質量の解析(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
27aCE-7 非局所配置によるInGaAs-二次元電子系へのスピン注入検証(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
27aCE-9 強いRashba効果を示すInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送特性(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
21pFB-1 InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
20pPSA-6 GaAs(110)上の選択成長により形成したInAsナノワイヤの電子輸送特性(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
21pFB-3 強磁性電極/高In組成InGaAs-2次元電子系接合における非局所スピン注入のゲート電圧依存性(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
21pFB-2 高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系のトップゲート制御(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
29aXL-6 Rashba型スピン軌道相互作用を示す2次元電子ガス2層系における整数量子ホール効果(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
29aXL-7 高In組成InGaAs2次元電子2層系のサブバンド輸送特性(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
InGaAs 2次元電子ガス 2層系におけるサブバンド輸送と量子ホール効果(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
28aAW-11 InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴II(28aAW 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
27aAW-7 InGaAs2次元電子ガス2層系における量子ホール効果(27aAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
28pPSA-3 電界電離型ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置により試作したInGaAs量子ポイントコンタクトの評価(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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