鈴木 寿一 | 北陸先端科学技術大学院大学

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概要

• 同名の論文著者
• 北陸先端科学技術大学院大学の論文著者

関連著者

• 鈴木 寿一

  北陸先端科学技術大学院大学

• 鈴木 寿一

  北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ

• 赤堀 誠志

  北陸先端大ナノセンター

• 赤堀 誠志

  北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所

• 山田 省二

  北陸先端大ナノセ

• 工藤 昌宏

  北陸先端科学技術大学院大学

• 田中 成明

  北陸先端科学技術大学院大学

• 佐藤 拓

  JAIST

• 山田 省二

  北陸先端大ナノセンター

• 滝田 隼人

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター

• 赤堀 誠志

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター

• 工藤 昌宏

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター

• 山田 省二

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター

• 山田 省二

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター

• 赤堀 誠志

  北陸先端科学技術大学院大学

• 鈴木 寿一

  北陸先端大ナノセンター

• 滝田 隼人

  北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター

• 赤堀 誠志

  北陸先端大ナノセ

• 山田 省二

  北陸先端大

• 掛川 智康

  北陸先端大ナノセンター

• 佐藤 拓

  北陸先端大ナノセンター

• 河合 弘治

  株式会社パウデック

• 住田 行常

  株式会社パウデック

• 山田 省二

  北陸先端大、新素材センター

• 藤井 研一

  阪大院理

• 八澤 優樹

  阪大院理

• 鈴木 寿一

  JAIST

• 山田 省二

  JAIST

• Choi H.

  北陸先端大ナノセンター

• 藤井 研一

  大工大情報科学

• Fukumi K

  National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn

• 橋本 紀彦

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター

• 藤井 研一

  阪大理

• Fujii K

  Osaka Univ. Osaka

• Fujii Ken-ichi

  Department Of Physics Graduate School Of Science Osaka University

• Fujii Kentarou

  Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering Osaka University

• Shih Hong-an

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター

• 菅原 彩子

  阪大院理

• TRINH Thanh

  北陸先端科学技術大学院大学

• SCHAPERS Thomas

  ユーリッヒ研究所

• HARDTDEGEN Hilde

  ユーリッヒ研究所

• 佐藤 拓

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター

• 山田 省二

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター

• Guzenko V.

  ユーリッヒ研

• Choi Hyonkwan

  北陸先端大ナノセンター

• 橘田 芳仁

  北陸先端大ナノセンター

• 則内 崇

  北陸先端大ナノテクセンター

• 山田 省二

  北陸先端科学技術大学院大学 新素材センター

• 山本 研吾

  株式会社パウデック

• 有田 潤哉

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター

• YONKIL Jeong

  北陸先端科学技術大学院大学

• Jeong Yonkil

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター

• 小野 秀樹

  ソニー(株)セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー新機能デバイス開発部

• 谷口 理

  ソニー(株)セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー新機能デバイス開発部

• 山田 省二

  北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター

• 山本 裕司

  北陸先端科学技術大学院大学

• NGUYEN Tuan

  北陸先端科学技術大学院大学

• SHIH Hong-An

  北陸先端科学技術大学院大学

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著作論文

• フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価 (電子デバイス)
• InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 20aTA-13 InGaSb/InAlSbヘテロ接合のマイクロ波および遠赤外光伝導(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• GaAs(001)基板上のInGaSb/InAlSbヘテロ接合における二次元電子ガス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 28pXB-11 傾斜磁場を用いたInGaSb-2DEGのスピン分裂の評価とその起源(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXB-10 浅いInGaAs/InAlAs逆HEMT構造におけるゼロ磁場スピン軌道相互作用(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSA-68 InGaSb/InAlSbヘテロ接合中の2次元電子の遠赤外磁気光吸収(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYC-6 浅いIn_Ga_As/In_Al_As逆HEMT構造におけるRashbaスピン軌道相互作用(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pZC-8 高In組成InGaSb/InAlSb系2DEGにおけるスピン分裂(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 26pZC-7 高In組成InGaAs/InA1Asヘテロ接合細線におけるRashba相互作用のサイドゲートによる制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 化合物半導体の先端研究動向 (特集1 化合物半導体の開発・応用動向)
• フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• エピタキシャルリフトオフ-貼付によって形成した異種材料基板上の狭ギャップ化合物半導体薄膜
• C-10-23 エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるPET基板上高電子移動度InAs(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• C-10-16 AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタのサブスレショルドスロープ(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• GaAs基板上InGaAsメタモルフィックHEMT作製と特性のIn組成依存性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO_2/Siウェハへのvan der Waals貼付(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおけるサブスレショルド特性のゲート電極依存性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl_2O_3原子層堆積における表面前処理の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

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