InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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InP(001)基板上のシュードモルフィックあるいは格子整合成長によって得られたInP/In_xGa_<1-x>As/InPヘテロ構造を用いて,InGaAs量子井戸(QW)チャネルにおける二次元電子ガスの伝導特性異方性について調べた.いくつかのIn組成xを採用することで圧縮歪・格子整合・引張歪InGaAs QWを得て,これらの試料からいろいろな結晶方位に伝導方向を有するHallバー素子を作製した.それらの測定の結果,低温で[1-10]方向の電子移動度は高く,[110]方向の移動度が低いという異方性が観測された.この異方性は,格子整合QWにおいては弱いが,圧縮歪・引張歪QWでは強く,歪が異方性を強めていることが示唆された.不完全なヘテロ界面を有する現実のQWでは,垂直歪に比例したランダム剪断歪が生じて,その結果としての圧電散乱が低温移動度に大きく影響する.歪によって強められる移動度の異方性は,この圧電散乱の異方性に基づくものであると考えられる.また,格子整合QWにおける弱い異方性は,As-P切替の不完全性による弱い垂直歪の結果であると解釈できる.さらに,Shubnikov-de Haas効果測定によって,この移動度の異方性は電子の輸送寿命の異方性に基づくものであり,電子の量子寿命には異方性がないことが確認された.
- 2009-06-04
著者
-
赤堀 誠志
北陸先端大ナノセンター
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学
-
TRINH Thanh
北陸先端科学技術大学院大学
-
工藤 昌宏
北陸先端科学技術大学院大学
-
SCHAPERS Thomas
ユーリッヒ研究所
-
HARDTDEGEN Hilde
ユーリッヒ研究所
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
工藤 昌宏
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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