MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
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概要
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有機金属気相成長(MOVPE)による選択成長を用いた、量子ナノ構造およびそのアレイの形成と、それらのデバイス応用について述べる。マスクパターンの設計により、量子ドット-量子細線結合構造等、種々の量子ナノ構造が形成可能である。また、(111)B面上へ選択成長を行うことにより、基板面に対し垂直な{110}ファセットを有する6角形空孔構造等による3角格子が形成でき、これらはフォトニック結晶へと応用可能である。一方、量子ドット-量子細線結合構造に対し、ゲートを形成することにより、単電子トランジスタを作製し、明瞭なクーロン振動とクーロンダイヤモンドを観測した。単電子トランジスタを集積化した論理回路の動作についても述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-21
著者
-
本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
赤堀 誠志
北陸先端科技大院ナノテクセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
赤堀 誠志
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
中島 史人
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
本久 順一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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