25aD02 有機金属気相選択成長法によるGaInAs/GaAsナノワイヤの結晶成長と光学的評価(ナノ粒子・ナノ構造(1),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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We demonstrated formation of hexagonal nano-wires with GaInAs/GaAs double hetero-structures using SA-MOVPE growth on SiO_2 masked (111)B GaAs substrates with periodic round openings. Using μ-PL measurements, PL emission from single GaInAs/GaAs hexagonal nano-wire was successfully identified. These results indicated that GaInAs/GaAs hexagonal nano-wires had good crystal qualities.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
竹田 潤一郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
竹田 潤一郎
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
原 真二郎
北海道大学大学院情報科学研究科
-
登坂 仁一郎
北海道大学大学院情報科学研究科
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
原 真二郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
本久 順一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
Fukui T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
登坂 仁一郎
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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