有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
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概要
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半導体ナノワイヤは、その特異な形状とサイズの微小さから、サランウンディングゲートFET、転位のない高輝度発光デバイス等への応用が期待されている。特に、サラウンディングゲートFETに関しては、ショートチャネル効果の抑制、相互コンダクタンスの上昇が見込まれ、次世代のFET構造として脚光を浴びている。実験では、SiドープInGaAsナノワイヤをSi/SiO_2基板に散布し、Ti/Auによりオーミック電極を形成した。その後Alによるショットキーゲートを形成し、ナノワイヤの背面はMIS構造、上面は動径方向ゲート被服率約80%のMES構造ゲートを作製し単一のナノワイヤに対し電気的評価を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-23
著者
-
本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
Motohisa Junichi
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
佐藤 拓也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
原 真二郎
北海道大学大学院情報科学研究科
-
登坂 仁一郎
北海道大学大学院情報科学研究科
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
佐藤 拓也
北海道大学医学研究科腎泌尿器外科
-
原 真二郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
本久 順一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
Fukui T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
登坂 仁一郎
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
本久 順一
北大情エレ
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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