GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
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概要
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MOVPE成長時にGaAs(001)微傾斜基板上に形成されるGaAs多段原子ステップを利用したS-K成長自己組織InGaAsドットアレイは、プレーナー上の成長に比べ、均一なサイズのドットが得られやすいとされている。そこで我々はIn組成x及びその成長膜厚を適切に制御し、ドットサイズの均一性の向上を図った。その結果、GaAs多段原子ステップ上のIn_<0.8>Ga_<0.2>ASドットサイズ分布が多段原子ステップ上のバンチング領域の幅に強く依存することが明らかになった。ここでGaAs多段原子ステップ上のバンチング領域の幅が微傾斜角度に依存する点に着目し、微傾斜基板角度によるIn_<0.8>Ga_<0.2>ASドット形状の変化をAFM及びPLを用いて評価を行った結果、AFM及びPLともに一致した傾向が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-21
著者
-
本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
赤堀 誠志
北陸先端科技大院ナノテクセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
石原 崇章
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
赤堀 誠志
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
本久 順一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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