26aE03 MOVPE選択成長法によるInP系フォトニック結晶構造の作製(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
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概要
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We report on the fabrication of periodic structures of InGaAs and InP on InP (111)A- or (111)B-oriented substrates by using selective-area (SA) MOVPE for the application of photonic crystals (PhCs). Array of hexagonal InGaAs and InP pillars are formed on masked substrates with circular mask openings at appropriate growth conditions. Air-hole arrays with InGaAs are also grown on substrates with periodic array of hexagonal masks.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
本久 順一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
Fukui T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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