MOVPE法におけるGaAs微傾斜基板上へのSiの選択的ドーピングの可能性
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概要
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We have investigated the possibility of selcctive incorporation of Si into step edges of GaAs vicinal surfaces to form doping quantum wircs. It has shown that the selective incorporation actually take place particularly at the initial stage of the doping.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
-
本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
赤堀 誠志
北陸先端科技大院ナノテクセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
赤堀 誠志
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
入澤 知輝
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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