III-V族化合物半導体ナノワイヤにおける閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造の構造相転移(<特集>安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
有機金属の熱分解を利用した気相成長法であるIII-V族化合物半導体の選択成長法により,太さ数10-数100nm,長さ数μmにおよぶGaAsおよびInAs細線状結晶(ナノワイヤ)の成長を行った.成長したナノワイヤの電子顕微鏡観察からナノワイヤは<111>B結晶軸方向に成長し,ナノワイヤ中には<111>軸周りの回転双晶(Twin)が存在していることが判明した.特にGaAsナノワイヤにおいては,直径が細いナノワイヤほど多くのTwinが存在することがわかった.GaAsナノワイヤ成長初期段階の外観形状と結晶構造解析を基にTwinが関与した成長モデルを提案した.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2008-01-31
著者
-
本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
Motohisa Junichi
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
原 真二郎
北海道大学大学院情報科学研究科
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
冨岡 克広
北海道大学大学院情報科学研究科
-
比留間 健之
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
池尻 圭太郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
吉田 浩惇
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
原 真二郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
池尻 圭太郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:(現)(株)日立製作所
-
本久 順一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
Fukui T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
本久 順一
北大情エレ
-
冨岡 克広
北大RCIQE
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
冨岡 克広
北海道大学 大学院情報科学研究科
関連論文
- One- and two-dimensional spectral diffusion of type-II excitons in InP/InAs/InP core-multishell nanowires
- 中央に重みをもつO(1)バイラテラルフィルタの提案(高機能イメージセンシングとその応用)
- フィルタカーネルサイズの依存性を持たない高速2-Dバイラテラルフィルタ演算手法の提案
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
- インターリーブを用いたシングルスロープAD変換器用高速ランプ波形発生器 (情報センシング)
- 局所領域サイズに依存しない高速局所コントラスト補正手法の検討(高機能イメージセンシングとその応用)
- TDCを用いたイメージセンサ用多段ADCのメタステーブル特性(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- インターリーブを用いたシングルスロープAD変換器用高速ランプ波形発生器(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- MOVPE選択成長法を用いたInP系ピラー型2次元フォトニック結晶構造の作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- Fabrication and characterization of GaAs quantum well buried in AlGaAs/GaAs heterostructure nanowires
- 25pWJ-7 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤにおける光励起キャリアの過渡現象(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-6 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの励起子過程(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pTA-5 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの時間分解発光スペクトルII(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXL-7 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの時間分解発光スペクトル(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 応用物理分野におけるアカデミック・ロードマップ
- A-1-13 TDC付きシングルスロープADCの特性解析(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- D-11-39 ガンマ関数を用いた高性能局所ヒストグラム平均化手法の検討(D-11.画像工学,一般セッション)
- CT-2-4 InAs系ナノワイヤトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- TDCを用いたイメージセンサ用多段ADCのメタステーブル特性(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- C-2-19 ドレイン接地フィードバックを用いたUWB用低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-18 広帯域直交ミキサにおける共振インダクタQ値の影響(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-3 MB-OFDM用広帯域直交ミキサの検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製
- 25aD02 有機金属気相選択成長法によるGaInAs/GaAsナノワイヤの結晶成長と光学的評価(ナノ粒子・ナノ構造(1),第34回結晶成長国内会議)
- MOVPE選択成長法を用いたInP系ピラー型2次元フォトニック結晶構造の作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 一分子・一細胞解析技術の進展
- MOVPE選択成長法を用いたIII-V族化合物半導体ナノワイヤの形成
- 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- MOVPE選択成長における自己停止機構を利用した量子箱構造の作製と評価
- A-1-25 複数位相クロックを用いたCMOSイメージセンサ用AD変換器(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
- A-1-14 周期比較方式PLL発振周波数特性における雑音影響の評価(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- 位相変動方向検出回路による周期比較方式PLLの高精度化 (特集 非線形電子回路)
- C-2-21 オンチップアンテナの特性に即した低雑音増幅器の広帯域化の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- D-11-89 局所的ダイナミックレンジ圧縮手法の高速化と高画質化(D-11.画像工学,一般セッション)
- D-11-24 局所ヒストグラム平均化を用いた高速・高品質ダイナミックレンジ圧縮手法の検討(D-11. 画像工学,一般セッション)
- Characterization of Fabry-Pérot microcavity modes in GaAs nanowires fabricated by selective-area metal organic vapor phase epitaxy
- 有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移(機能ナノデバイス及び関連技術)
- III-V族化合物半導体ナノワイヤにおける閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造の構造相転移(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性,AWAD2006)
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性
- 半導体ナノワイヤとナノデバイス応用
- A-1-50 ディレイライン上で記憶保持を行うTime-to-Digital Converterの高性能化(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-47 周期比較方式PLLにおける発振器雑音の影響(C-12.集積回路,一般セッション)
- 高精度周期比較器を用いたループ特性に依存しないデジタル制御PLLの検討と試作(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 高精度周期比較器を用いたループ特性に依存しないデジタル制御PLLの検討と試作(ワイヤレスとワイヤライン,アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- Growth of Core-Shell InP Nanowires for Photovoltaic Application by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- III-V Semiconductor Epitaxial Nanowires and Their Applications(Plenary Session)
- III-V Semiconductor Epitaxial Nanowires and Their Applications(Plenary Session)
- III-V semiconductor hetero-structure nanowires by selective area MOVPE
- 負帰還イメージセンサを用いたフレーム内動き方向検出処理(イメージセンシング技術とその応用)
- 40年目の半導体超格子
- GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
- MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
- GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
- MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
- MOVPE法におけるGaAs微傾斜基板上へのSiの選択的ドーピングの可能性
- 多段原子ステップを用いた電子波干渉素子
- MOVPE Condition Dependences of MnAs Nanoclusters Grown on GaInAs (111)A Surfaces
- 位相変動方向検出回路による周期比較方式PLLの高精度化
- MOVPE選択成長によるセルフアラインゲート型細線トランジスタの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- MOVPE選択成長によるセルフアラインゲート型細線トランジスタの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 26aE03 MOVPE選択成長法によるInP系フォトニック結晶構造の作製(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 有機金属気相成長法によるナノ構造の作製
- Vertical Surrounding Gate Transistors Using Single InAs Nanowires Grown on Si Substrates
- Metal-organic vapor phase epitaxial growth condition dependences of MnAs nanocluster formation on GaInAs (111)A surfaces (Special issue: Solid state devices and materials)
- C-12-12 全ディジタルPLLにおける高精度周期比較器の導入(C-12. 集積回路BC(クロック・発振器),一般セッション)
- A-1-4 Delay-Line上で記憶保持を行うTime-to-Digital Converterの提案(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
- MOVPE選択成長法を用いた単電子デバイスの作製とその回路応用
- MOVPE選択成長法を用いた単電子デバイスの作製とその回路応用
- D-11-92 低ビット誤差拡散画像の高ビット画像復元(D-11.画像工学,一般セッション)
- D-11-67 複合関数による高機能ダイナミックレンジ圧縮手法の検討(D-11.画像工学,一般セッション)
- D-11-66 帰納的定義による高速な画像フィルタの提案(D-11.画像工学,一般セッション)
- A-1-34 位相変動方向検出回路による周期比較方式PLL(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-2-32 マルチバンド無線通信用インダクタレス低雑音増幅器の設計(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 量子細線・量子ドット構造のAFMによる評価
- ジャイレータ回路とマルチバンドレシーバーへの応用 (集積回路)
- 位相変動方向検出回路による周期比較方式PLLの高精度化
- ジャイレータ回路とマルチバンドレシーバーへの応用 (情報センシング)
- 高速局所的輝度補正技術の高画質化の検討(高機能イメージセンシングとその応用)
- 加工微傾斜基板による周期的多段原子ステップ構造の形成とその応用
- 加工微傾斜基板による周期的多段原始ステップ構造の形成とその応用
- A-4-7 局所的画像変換によるマッハバンドに関する一考察(A-4.信号処理,一般セッション)
- A-1-24 能動インダクタ負荷によるIF増幅器付き電流駆動型受動ミキサ(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- A-1-37 TDC付きシングルスロープ用AD変換器用メタステーブル抑制回路(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- 23pRB-6 InP/InAsP/InPナノワイヤー量子ドットの局在励起子発光の偏光状態(23pRB 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 23aTN-2 単一ウルツ鉱型InP/InAs/InPコアマルチシェルナノワイヤーの偏光ルミネッセンス(23aTN 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 局所的輝度補正手法におけるハロー効果制御の検討(2011 International Image Sensor Workshop(IISW)関連およびイメージセンサ一般)
- シングルスロープA/D変換器の高速化に向けたインターリーブ型ランプ波形発生器 (集積回路)
- C-12-67 DCオフセット除去機能を持つダイレクトコンバージョンミキサ(C-12.集積回路,一般セッション)
- シングルスロープA/D変換器の高速化に向けたインターリーブ型ランプ波形発生器 (情報センシング)
- A-1-2 低消費電力TDC付きマルチスロープAD変換器(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- 単一画像を用いた局所適応型高速霧補正技術(高機能イメージセンシングとその応用)
- 単一画像を用いた局所適応型高速霧補正技術
- A-1-14 11bit 5.luW複数位相型TDC付きマルチスロープADC(A-1.回路とシステム)