加工微傾斜基板による周期的多段原子ステップ構造の形成とその応用
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概要
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結晶成長前にパターン加工したGaAs(001)微傾斜基板を用い、この上で生じるMOVPE結晶成長時の自己組織化機構を用いることにより、様々な半導体ナノ構造を形成し、その評価を行った。まず、[110]方向に一定周期の溝を作製した加工微傾斜基板上では、パターン周期に等しい、周期の整った多段原子ステップ構造が形成されることが明らかになった。また、パターン形状を変えることで、多段原子ステップが周期的に交差した鱗構造などの複雑な表面構造を形成可能であることが示された。また、これらの表面構造上ではステップ端部とテラス部とで成長速度に差があることが明らかとなった。これらの結果から、加工微傾斜基板によって形状が制御された表面構造上に量子構造を形成可能であることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-21
著者
-
本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
原田 俊文
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター
-
小田 康裕
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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