Realization of InAs-based two-dimensional artificial lattice by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
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概要
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The experimental realization of two-dimensional semiconductor artificial lattice based on InAs quantum wires is reported here. Artificial Kagome lattice fabricated using InAs quantum wires of unit cell size 0.7 mm has been theoretically proved to show ferromagnetism. Fabrication of such a structure with InAs quantum wires was attempted by selective area metalorganic vapor phase epitaxy using GaAs (111)A substrates. Temperature-dependent growth mode change was observed and Volmer-Weber growth mode at high temperature inhibited the formation of uniform structure. Low temperature and low AsH3 partial pressure resulted in the successful fabrication of 0.7 μm period InAs-based Kagome lattice structure.
- American Institute of Physicsの論文
- 2004-04-05
著者
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
本久 順一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
Fukui T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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