In-Situ Scanning Tunneling Microscope Study of Formation Process of Ultrathin Si Layer by Molecular Beam Epitaxy on GaAs(001)-(2×4) Surface
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1998-03-30
著者
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
HASEGAWA Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
ISHIKAWA Yasuhiko
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
-
Ishikawa Yasuhiko
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
Ishikawa Y
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
Ishikawa Y
Dowa Mining Co. Ltd. Tokyo
-
FUKUI Takashi
Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
-
Ishikawa Y
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
TSURUMI Naohiro
Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information
-
Tsurumi Naohiro
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
Fukui Takashi
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
Hasegawa Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan
関連論文
- One- and two-dimensional spectral diffusion of type-II excitons in InP/InAs/InP core-multishell nanowires
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
- Al2O3 Insulated-Gate Structure for AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors Having Thin AlGaN Barrier Layers
- MOVPE選択成長法を用いたInP系ピラー型2次元フォトニック結晶構造の作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 25pWJ-7 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤにおける光励起キャリアの過渡現象(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-6 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの励起子過程(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pTA-5 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの時間分解発光スペクトルII(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXL-7 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの時間分解発光スペクトル(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Fabrication of InP/InAs/InP core-multishell heterostructure nanowires by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
- Realization of conductive InAs nanotubes based on lattice-mismatched InP/InAs core-shell nanowires
- Realization of InAs-based two-dimensional artificial lattice by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
- Future of Heterostructure Microelectronics and Roles of Materials Research for Its Progress(Plenary,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
- CT-2-4 InAs系ナノワイヤトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製
- 25aD02 有機金属気相選択成長法によるGaInAs/GaAsナノワイヤの結晶成長と光学的評価(ナノ粒子・ナノ構造(1),第34回結晶成長国内会議)
- MOVPE選択成長法を用いたInP系ピラー型2次元フォトニック結晶構造の作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 注目の技術と部材 シリコン基板を用いた新構造発光素子の開発
- 2P1-4 超短光パルスによるナノ構造の振動研究(ポスターセッション)
- 1J2a-3 半導体ナノピラーにおける振動モードのピコ秒音響法による観測(測定技術)
- MOVPE選択成長法を用いたIII-V族化合物半導体ナノワイヤの形成
- 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- MOVPE選択成長における自己停止機構を利用した量子箱構造の作製と評価
- Gate Leakage in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors and Its Suppression by Novel Al_2O_3 Insulated Gate(Heterostructure Microelectronics with TWHM2003)
- Surface Passivation Process for GaN-Based Electronic Devices Utilizing ECR-CVD SiN_χ Film(Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000)
- Nitridation of GaP(100)Surfaces by rf Nitrogen Radicals and by Electron Cyclotron Resonance Nitrogen Plasma
- Nitridation of GaP Surfaces by Rf Nitrogen Radicals and by ECR Nitrogen Plasma
- 24aXL-3 量子チューブ中アハロノフ-ボーム効果の光学的検出(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Scanning Tunneling Microscope Study of (001)InP Surface Prepared by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
- 1Pb-6 超短光パルスを用いたGaAsナノピラーの振動モード観測(ポスターセッション)
- In-Situ Contactless Characterization of Microscopic and Macroscopic Properties of Si-doped MBE-Grown (2×4) GaAs Surfaces
- In-Situ Contactless Characterization of Microscopic and Macroscopic Properties of Si-Doped MBE-Grown (2x4) GaAs Surfaces
- Fabrication of semiconductor Kagome lattice structure by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
- Characterization of Fabry-Pérot microcavity modes in GaAs nanowires fabricated by selective-area metal organic vapor phase epitaxy
- Quantum Well Wire Fabrication Method Using Self-Organized Multiatomic Steps on Vicinal (001) GaAs Surfaces by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- Novel Formation Method of Quantum Dot Structures by Self-Limited Selective Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- Fabrication of GaAs/AlGaAs Quantum Dots by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Patterned GaAs Substrates
- Mechanism of Multiatomic Step Formation durirng Metalorganic Chemical Vapor deposition Growth of GaAs on (001) Vicinal Surface Studied by Atomic Force Microscopy
- 有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移(機能ナノデバイス及び関連技術)
- III-V族化合物半導体ナノワイヤにおける閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造の構造相転移(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性,AWAD2006)
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性
- 半導体ナノワイヤとナノデバイス応用
- Photonic Crystal Slabs with Hexagonal Optical Atoms and Their Application in Waveguides
- Electrochemical Formation of Uniform and Straight Nano-Pore Arrays on(001)InP Surfaces and Their Photoluminescence Characterizations
- Process Charactarization and Optimization for a Novel Oxide-Free Insulated Gate Structure for InP MISFETs Having Silicon Interface Control Layer (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000)
- Fabrication and Characterization of InGaAs/InAlAs Insulated Gate Pseudomorphic HENTs Having a Silicon Interface Control Layer
- Effects of Phosphorus Pressure on Growth Rate and Layer Quality of InP Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
- Large Modulation of Conductance in Interdigital-Gated HEMT Devices Due to Surface Plasma Wave Interactions
- Large Conductance Modulation in Interdigital Gate HEMT Device due to Surface Plasma Wave Interactions and Its Device Application
- Electrochemical Etching of Indium Phosphide Surfaces Studied by Voltammetry and Scanned Probe Microscopes
- The Strong Correlation between Interface Microstructure and Barrier Height in Pt/n-InP Schottky Contacts Formed by an In Situ Electrochemical Process
- Formation of Size- and Position-Controlled Nanometer Size Pt Dots on GaAs and InP Substrates by Pulsed Electrochemical Deposition
- In-Situ Scanning Tunneling Microscope Study of Formation Process of Ultrathin Si Layer by Molecular Beam Epitaxy on GaAs(001)-(2×4) Surface
- In-Situ UHV-STM Study of Formation Process of Ultrathin MBE Si Layer on GaAs(001)-(2x4) Surface
- Missing-Dimer Structures and Their Kink Defects on Molecular Beam Epitaxially Grown (2×4) Reconstructed (001) InP and GaAs Surfaces Studied by Ultrahigh-Vacuum Scanning Tunneling Microscopy
- Missing-Dimer Structures and Their Kink Defects on MBE-Grown (2x4) Reconstructed (001)Inp Surfaces Studied by UHV Scanning Tunneling Microscope
- Chemical and Electrochemical Nanofabrication Processes for Schottky In-Plane Gate GaAs Single and Coupled Quantum Wire Transistors
- GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
- MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
- GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
- MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
- MOVPE法におけるGaAs微傾斜基板上へのSiの選択的ドーピングの可能性
- 多段原子ステップを用いた電子波干渉素子
- MOVPE Condition Dependences of MnAs Nanoclusters Grown on GaInAs (111)A Surfaces
- Formation of InAs Dots on AlGaAs Ridge Wire Structures by Selective Area MOVPE Growth
- GaAs dot-wire coupled structures grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy and their application to single electron devices
- Initial Stage of InGaAs Growth on GaAs Multiatomic Steps by MOVPE
- Temperature Dependence of Si Delta-Doping on GaAs Singular and Vicinal Surfaces in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- Characterization of Potential Modulation in Novel Lateral Surface Superlattices Formed on GaAs Multiatomic Steps
- Real-Time Observation of Electron-Beam Induced Mass Transport in Strained InGaAs/AlGaAs Layers on GaAs (100) and (311)B Substrates
- Characterization of Potential Modulation in Novel Lateral Surface Superlattices Formed on GaAs Multiatomic Steps
- Delta-Doping and the Possibility of Wire-like Incorporation of Si on GaAs Vicinal Surfaces in Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth
- Delta-Doping of Si on GaAs Vicinal Surfaces and Its Possibility of Wirelike Incorporation in Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth
- A Novel Electron Wave Interference Device Using Multiatomic Steps on Vicinal GaAs Surfaces Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy: Investigation of Transport Properties
- MOVPE選択成長によるセルフアラインゲート型細線トランジスタの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- MOVPE選択成長によるセルフアラインゲート型細線トランジスタの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- Theoretical study on the photonic crystal slabs with hexagonal optical atoms
- 26aE03 MOVPE選択成長法によるInP系フォトニック結晶構造の作製(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 有機金属気相成長法によるナノ構造の作製
- 単電子デバイスによる多数決論理回路
- 単電子デバイスによる多数決論理回路
- MOVPE選択成長法を用いた単電子デバイスの作製とその回路応用
- MOVPE選択成長法を用いた単電子デバイスの作製とその回路応用
- 半導体ナノ構造の自然形成
- 量子細線・量子ドット構造のAFMによる評価
- 加工微傾斜基板による周期的多段原子ステップ構造の形成とその応用
- 加工微傾斜基板による周期的多段原始ステップ構造の形成とその応用
- 自己組織化論争
- III-V族化合物半導体低次元量子構造の作製
- 23pRB-6 InP/InAsP/InPナノワイヤー量子ドットの局在励起子発光の偏光状態(23pRB 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 23aTN-2 単一ウルツ鉱型InP/InAs/InPコアマルチシェルナノワイヤーの偏光ルミネッセンス(23aTN 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 半導体ナノワイヤデバイスの新展開
- Si基板上のIII-V族ナノワイヤ選択成長と縦型トランジスタ応用
- 半導体ナノワイヤデバイスの新展開 : 縦型トランジスタ応用(半導体材料・デバイス)