Fabrication and Characterization of InGaAs/InAlAs Insulated Gate Pseudomorphic HENTs Having a Silicon Interface Control Layer
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概要
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A novel InGaAs/InAlAs insulated gate (IG) pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) having a silicon interface control layer (Si ICL) is successfully fabricated and characterized. Systematic efforts to characterize and optimize the insulated gate structure and the PHEMT fabrication process were made by using in-situ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and capacitance-voltage (C-V) techniques. This led to successful fabrication of a novel IG-PHEMT showing excellent stable DC characteristics with a good pinch off and a high transconductance (177 mS/mm), very small gate leakage currents, very high gate breakdown voltages (about 40 V) and respectable RF characteristics fT = 9 GHz and fmax=38 GHz.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-01
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
HASEGAWA Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
KASAI Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
Xie Y
Research Center For Interface Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Electronics And Inf
-
TAKAHASHI Hiroshi
Research Center for Integrated Quantum Electronics, and Graduate School of Electronics and Informati
-
XIE Yong-Gui
Research Center for Interface Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Electronics and Inf
-
JIANG Chao
Research Center for Interface Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Electronics and Inf
-
Takahasi Hiroshi
The Authors Are With Application Specific Products Worldwide Development Dsp Development Japan Tsuku
-
Jiang C
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Jiang Chao
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Informatio
-
Takahashi H
Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
-
Hasegawa Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan
-
Kasai Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Sapporo 060-8628, Japan
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