AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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AlGaN/GaN HFETにおける表面準位の影響を明らかにするために、ゲートリーク電流を詳細に測定し、その結果をシミュレーションと比較し、考察した。その結果、大面積Ni/AlGaNショットキー接合において、ショットキー界面に垂直な縦方向トンネル電流がリーク電流に支配的寄与をすることが分かった。これに対し、ナノスケールショットキーゲートのリーク電流の解析結果は、横方向リークパスの存在を示唆した。これに基づき、縦方向リーク電流の計算結果に横方向リーク電流の計算を付加することで、ゲートリーク電流の振る舞いを計算で再現することができた。このようにナノスケールゲートでは、横方向へのトンネル過程による電子注入が、リーク電流や関連するトラッピングに大きな効果をもたらすことが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-06
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
-
Hasegawa Hideki
Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac
-
小谷 淳二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
-
Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
-
Honda Hideyuki
The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University
-
葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
-
小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
葛西 誠也
北海道大学
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