葛西 誠也 | 北海道大学 大学院情報科学研究科
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概要
関連著者
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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葛西 誠也
北海道大学
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
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Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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長谷川 英機
北海道大学
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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白鳥 悠太
北大院情報科学および量集センター
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Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
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Hasegawa Hideki
Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac
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Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
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Honda Hideyuki
The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University
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湯元 美樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科電子情報工学専攻
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湯元 美樹
東芝研究開発センター
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湯元 美樹
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター 工学研究科 電子情報工学専攻
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田村 隆博
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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田村 隆弘
北海道大学大学院工学研究科
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田村 隆博
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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三浦 健輔
北大院情報科学および量集センター
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三浦 健輔
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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村松 徹
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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小谷 淳二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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中村 達也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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中村 達也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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村松 徹
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
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村松 徹
北大院情報科学および量集センター
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中野 雄紀
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学工学部電気工学科
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Hozawa H
Department Of Biomedical Engineering Graduate School Of Biomedical Engineering Tohoku University
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Hasegawa Haruhiro
Superconductivity Research Laboratory International Superconductivity Technology Center
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Hasegawa Hideki
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Informatio
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佐藤 将来
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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雨宮 好仁
北海道大学 大学院 情報科学研究科
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趙 洪泉
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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中田 大輔
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター
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アブドゥール ラーマン
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター
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中田 大輔
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
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アブドゥール ラーマン
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター:北海道大学大学院情報科学研究科
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谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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浅井 哲也
北海道大学 大学院 情報科学研究科
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木村 健
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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浅井 哲也
はこだて未来大複雑系
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岡田 浩
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター
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古川 拓也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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バジール アルベルト
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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柴田 啓
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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木村 健
北海道大学工学研究科
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古川 拓也
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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岩谷 将伸
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター工学研究科 電子情報工学科専攻
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木村 健
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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岩谷 将伸
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター 工学研究科 電子情報工学専攻
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田所 幸浩
株式会社豊田中央研究所
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赤澤 正道
北海道大学
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HASHIZUME Tamotsu
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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前橋 兼三
阪大産研
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山田 崇史
北海道大学工学部電子工学科
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村中 司
北海道大学工学研究科
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福士 哲夫
北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻
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KASAI Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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阿部 裕二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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木下 純臣
北海道大学工学部
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玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科
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松本 和彦
大阪大 産科研
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
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大野 恭秀
大阪大学産業科学研究所
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前橋 兼三
大阪大学産業科学研究所
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井上 恒一
大阪大学産業科学研究所
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松本 和彦
大阪大学産業科学研究所
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袴田 靖文
大阪大学産業科学研究所
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遠藤 眞
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科電子情報工学専攻
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Sato T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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金 智
電気通信大学
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Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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Sato Taketomo
Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu
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Sato Taketomo
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
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玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター
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福士 哲夫
北海道大学工学研究科
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宇野 正一
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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Sato Taketomo
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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金 智
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび
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宇野 正一
北海道大学 工学研究科 量子界面エレクトロニクス研究センター
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赤澤 正道
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
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Akazawa M
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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Akazawa Masamichi
Graduate School Of Engineering Hokkaido University
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Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering And Research Center For Interface Quantu
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Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Hokkaido University
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Akazawa Masamichi
Research Center For Interface Quantum Electronics And Department Of Electrical Engineering Hokkaido
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葛西 誠也
JSTさきがけ
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葛西 誠也
北海道大学情報科学研究科
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谷田部 然治
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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一木 輝久
株式会社豊田中央研究所
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木村 祐太
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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Kasai Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Sapporo 060-8628, Japan
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赤澤 正道
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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孫 屹
大阪工業大学
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佐々誠 彦
大阪工業大学
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前元 利彦
大阪工業大学
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木村 祐太
大阪工業大学
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一木 輝久
名古屋大学グリーンモビリティ連携研究センター
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野中 薫雄
琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科
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足立 智
北海道大学大学院工学研究科
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福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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有田 正志
北海道大学大学院情報科学研究科
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高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
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呉 南健
北海道大学工学研究科
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菅原 陽
北海道小樽工業高等学校
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植村 哲也
北海道大学大学院情報科学研究科
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菅原 広剛
北海道大学大学院情報科学研究科
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松田 健一
北海道大学大学院情報科学研究科
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菅原 広剛
北海道大学
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武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
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岸浪 建史
釧路工業高等専門学校
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高橋 浩
北海道大学 エネルギー先端工学研究センター
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HASEGAWA Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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高橋 庸夫
北大
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江 潮
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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SATO Taketomo
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
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ZHAO Hong-Quan
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
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植村 哲也
「応用物理」編集委員会
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葛西 誠也
北大院情報科学
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謝 永桂
北海道大学集積界面エレクトロニクス研究センター
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植村 哲也
Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部
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高橋 庸夫
東北大・工
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
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野口 孝文
釧路工業高等専門学校電気工学科
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呉 南健
北海道大学 工学研究科 量子界面エレクトロニクス研究センター
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足立 智
北大 大学院工学研究科
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高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
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高橋 賢
広島市大
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高橋 賢
北海道大学大学院工学研究科電子情報工学専攻
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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江 潮
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
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板井 順一
北見工業大学電気電子工学科
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前元 利彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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植村 哲也
北大 大学院情報科学研究科
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高橋 浩
北海道大学大学院工学研究科電子情報工学専攻
-
岸浪 建史
釧路工業高等専門学校校長
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
Hasegawa Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan
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有田 正志
北海道大学大学院 情報科学研究科
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白鳥 悠太
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター 工学研究科 電子情報工学専攻
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葛西 誠也
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター:北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻
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中村 達也
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科
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橋詰 保
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター 工学研究科 電子情報工学専攻
-
長谷川 英機
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
小谷 淳二
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
中村 達也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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田中 貴之
北海道大学大学院情報科学研究科及び量子集積エレクトロニクス研究センター
-
植村 哲也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
著作論文
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
- ゆらぎや雑音と共存可能な新しい集積ナノデバイス
- ヘキサゴナル二分決定グラフ量子回路方式による高密度III-V族化合物半導体量子集積回路
- GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Future of Heterostructure Microelectronics and Roles of Materials Research for Its Progress(Plenary,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用)
- Properties of a GaAs Single Electron Path Switching Node Device Using a Single Quantum Dot for Hexagonal BDD Quantum Circuits
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 多重台形チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの特性
- A binary-decision-diagram-based two-bit arithmetic logic unit on a GaAs-based regular nanowire network with hexagonal topology
- 2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implementation of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network(Session4B: Emerging Devices II)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Fabrication and characterization of a GaAs-based three-terminal nanowire junction device controlled by double Schottky wrap gates
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価
- 決定グラフによる論理表現とナノワイヤネットワークトポロジの融合による新しい論理回路実装手法の検討
- 量子ドットアレイによるグラフ論理システム
- 量子ドットアレイによるグラフ論理システム
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 量子細線ネットワークと論理回路応用
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価
- 電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価
- GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共振素子(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤ3分岐接合の非線形特性制御と論理ゲートへの応用(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- GaAsナノワイヤ3分岐接合の非線形特性制御と論理ゲートへの応用(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- GaAs系ナノワイヤFETを用いたTHzセンシングと確率共鳴による感度向上の検討(センサデバイス,MEMS,一般)
- C-10-9 GaAsナノワイヤCCDの試作と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用)
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- InP系高速デバイス用多層エピタキシャル構造のSi超薄膜による表面不活性化
- ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- C-10-21 GaAsナノワイヤFETを利用した確率共鳴の発現と雑音による信号検出能力の向上(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ショットキーIPG/WPG型GaAs量子細線トランジスタの最適化とその応用
- ショットキーIPG/WPG型GaAs量子細線トランジスタの最適化とその応用
- SC-9-9 ショットキーインプレーンゲートおよびラップゲート構造を用いた化合物半導体量子デバイスとその機能集積回路応用
- ヘキサゴナル二分決定グラフ量子回路方式による高密度III-V族化合物半導体量子集積回路
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナル量子BDD論理サブシステムの設計・実装とナノプロセッサ算術論理演算回路への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- ヘキサゴナル量子BDD論理サブシステムの設計・実装とナノプロセッサ算術論理演算回路への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
- ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
- QMESFETの提案と試作
- QMESFETの提案と試作
- C-10-12 ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた高集積フリップフロップ回路の試作と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 化合物半導体ナノ細線ネットワーク制御形二分決定グラフ論理集積回路サブシステムの構築
- 化合物半導体ナノ細線ネットワーク制御形二分決定グラフ論理集積回路サブシステムの構築
- GaAsショットキーラップゲート構造を用いたヘキサゴナル量子BDD集積回路技術
- GaAsショットキーラップゲート構造を用いたヘキサゴナル量子BDD集積回路技術
- GaAsショットキーラップゲートによる単電子BDDデバイス
- GaAsショットキーラップゲートによる単電子BDDデバイス
- ED2000-104 Cu/n-InPコンタクトにおける界面反応と電気的特性との関連
- In-Situ 電気化学プロセスを用いた Pt-Gate InP MESFET の製作
- Si界面制御層によるGaAsショットキー障壁高さの制御とその量子構造への応用
- CT-2-3 雑音共存確率共鳴トランジスタ(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- 決定グラフによる論理表現とナノワイヤネットワークトポロジの融合による新しい論理回路実装手法の検討(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- 決定グラフによる論理表現とナノワイヤネットワークトポロジの融合による新しい論理回路実装手法の検討(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 科研費と研究のかかわり
- SiN_x絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- A-2-33 経路長変調ネットワークによる確率共鳴現象の効果改善(A-2.非線形問題,一般セッション)
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-11 光照射局所コンダクタンス変調法によるGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイス非線形伝達特性の評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析
- GaAs系エッチングナノワイヤCCDにおける同期電荷転送と効率に関する検討(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 確率共鳴を応用した経路長変調ネットワーク系の有色雑音環境での考察
- フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性(機能ナノデバイス及び関連技術)