木村 健 | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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木村 健
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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木村 健
北海道大学工学研究科
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木村 健
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
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長谷川 英機
北海道大学
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Hasegawa Hideki
Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac
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小谷 淳二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
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Honda Hideyuki
The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University
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小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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古川 拓也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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古川 拓也
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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田島 正文
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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水江 千帆子
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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加藤 寛樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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小川 恵理
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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田島 正文
北海道大学
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水江 千帆子
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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小川 恵理
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:crest-jst
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水江 千帆子
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
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松尾 一心
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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葛西 誠也
北海道大学
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村中 司
北海道大学工学研究科
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福士 哲夫
北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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金子 昌充
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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福士 哲夫
北海道大学工学研究科
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葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
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金子 昌充
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
著作論文
- MBE選択成長法によるInP系量子細線ネットワークの高密度集積化(量子効果デバイス及び関連技術)
- AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御
- MBE選択成長法によるInP系量子細線ネットワークの高密度集積化(量子効果デバイス及び関連技術)
- AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用,AWAD2006)
- AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用
- AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))