小谷 淳二 | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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小谷 淳二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
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田村 隆博
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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田村 隆弘
北海道大学大学院工学研究科
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田村 隆博
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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田島 正文
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
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田島 正文
北海道大学
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Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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葛西 誠也
北海道大学
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水江 千帆子
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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水江 千帆子
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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水江 千帆子
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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木村 健
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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木村 健
北海道大学工学研究科
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田村 隆博
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
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木村 健
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
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Hasegawa Hideki
Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac
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長谷川 英機
北海道大学
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Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
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Honda Hideyuki
The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University
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バシーレ アルベルト
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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加藤 寛樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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小川 恵理
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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小川 恵理
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:crest-jst
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ミツェーク マルチン
Institute of Phisics, Silesian University of Technology
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大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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松山 哲也
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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ミツェーク マルチン
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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ミツェーク マルチン
Institute Of Phisics Silesian University Of Technology
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大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター
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大井 幸多
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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菅原 克也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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古川 拓也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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菅原 克也
北海道大学
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古川 拓也
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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金子 昌充
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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金子 昌充
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
著作論文
- AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 多重台形チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの特性
- 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御
- AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析
- AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析
- AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用,AWAD2006)
- AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価