佐藤 威友 | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hasegawa Hideki
Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac
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Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
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Honda Hideyuki
The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
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玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科
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玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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葛西 誠也
北海道大学
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Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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木村 健
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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古川 拓也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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木村 健
北海道大学工学研究科
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古川 拓也
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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吉田 崇一
北海道大学工学部
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木村 健
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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岡田 浩
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター
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湯元 美樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科電子情報工学専攻
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湯元 美樹
東芝研究開発センター
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田村 隆弘
北海道大学大学院工学研究科
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田村 隆博
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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湯元 美樹
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター 工学研究科 電子情報工学専攻
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及川 武
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
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谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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Yatabe Zenji
Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan
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神保 亮平
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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熊崎 祐介
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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谷田部 然治
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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小谷 淳二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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兼城 千波
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター
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田村 隆博
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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金子 昌充
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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佐藤 威友
量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
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金子 昌充
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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藤野 敏幸
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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平野 哲郎
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻
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足立 智
北海道大学大学院工学研究科
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福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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有田 正志
北海道大学大学院情報科学研究科
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高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
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菅原 陽
北海道小樽工業高等学校
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植村 哲也
北海道大学大学院情報科学研究科
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菅原 広剛
北海道大学大学院情報科学研究科
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松田 健一
北海道大学大学院情報科学研究科
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菅原 広剛
北海道大学
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赤澤 正道
北海道大学
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高橋 庸夫
北大
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小山 雄司
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター、工学研究科
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植村 哲也
「応用物理」編集委員会
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吉澤 直樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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岡崎 拓行
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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植村 哲也
Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部
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高橋 庸夫
東北大・工
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
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足立 智
北大 大学院工学研究科
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Sato T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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塩崎 奈々子
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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Sato Taketomo
Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu
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Sato Taketomo
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
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OKAZAKI Hiroyuki
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
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Sato Taketomo
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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塩崎 奈々子
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
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赤澤 正道
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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Akazawa M
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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Akazawa Masamichi
Graduate School Of Engineering Hokkaido University
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Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering And Research Center For Interface Quantu
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Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Hokkaido University
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Akazawa Masamichi
Research Center For Interface Quantum Electronics And Department Of Electrical Engineering Hokkaido
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植村 哲也
北大 大学院情報科学研究科
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福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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有田 正志
北海道大学大学院 情報科学研究科
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赤澤 正道
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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植村 哲也
北海道大学 大学院情報科学研究科
著作論文
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
- RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 電気化学プロセスによる化合物半導体ショットキー接合の形成と界面制御
- 電気化学プロセスによる金属ドットアレイの作製
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 量子細線ネットワークと論理回路応用
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価
- 電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価
- GaAs(111)B基板上に形成されたAlGaAs/GaAs量子構造のSi界面制御層による表面不活性化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用,AWAD2006)
- AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用
- RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ヘキサゴナルBDD量子集積回路のための量子細線スイッチの特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナルBDD量子集積回路のための量子細線スイッチの特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- (111)B加工基板上へのMBE選択成長によるGaAsヘキサゴナル量子細線ネットワークの形成(量子効果デバイス及び関連技術)
- (111)B加工基板上へのMBE選択成長によるGaAsヘキサゴナル量子細線ネットワークの形成(量子効果デバイス及び関連技術)
- MBE選択成長法によるヘキサゴナルGaAs細線ネットワークの作製と評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- MBE選択成長法によるGaAsリッジ量子細線の形成とヘキサゴナル細線ネットワークへの応用
- MBE選択成長法によるGaAsリッジ量子細線の形成とヘキサゴナル細線ネットワークへの応用
- MBE選択成長法によるGaAs/AlGaAs量子細線の形成とその結合ネットワークへの応用
- MBE選択成長法によるGaAs/AlGaAs量子細線の形成とその結合ネットワークへの応用
- 電気化学的手法によるInPポーラス構造の形成と応用
- 電気化学的手法によるInPポーラス構造の形成と応用
- パルスモード電気化学プロセスによる化合物半導体へのナノショットキー接触の形成と評価
- 電気化学プロセスによるInP系化合物半導体のショットキー障壁高の制御とその機構
- In-situ電気化学プロセスによるInP系化合物半導体への高いショットキー障壁形成
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))