電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
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概要
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InPポーラスナノ構造の高密度形成と,精密な寸法制御を目的とした表面エッチングを連続的に行う2段階電気化学プロセスを開発した.ポーラス形成直後の陰極分解反応によりInP孔壁の厚さは30nmから15nm までナノメータスケールで制御され,これまでにない高いアスペクト比を持つ特徴的なナノ構造が形成された.また,ポーラスナノ構造の過酸化水素に対する応答特性は,プレーナ基板と比較して大幅に向上した.これは,ポーラス構造が大きな実効表面積を有することに起因しており,化学/バイオセンサへの応用に有望であることを示している.
- 2007-06-18
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
藤野 敏幸
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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