新しいゲート構造を有する化合物半導体単電子デバイスの製作と評価
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概要
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新しいショットキーラップゲート(WPG)構造を有する、化合物半導体単電子デバイスを提案し、その特性を評価した。AlGaAs/GaAsの擬1次元細線にWPGを適用した単電子トランジスタ(SET)は、明確なクーロンブロッケード振動、ならびにクーロンブロッケード特性を示し、同時に、1を越える電圧利得が得られた。さらに、分子線エピタキシーの選択成長法によるInAlAs/InGaAsリッジ量子細線にWPG構造を適用した新しいSETを実現した。このSETは、最高30Kまでクーロンブロッケード振動を示し、10mVのクーロンギャップを示した。これらの結果は、提案したショットキーWPGゲート構造が、化合物半導体単電子デバイスの実現に有用であることを示唆している。
- 1998-07-21
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
藤倉 序章
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
岡田 浩
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
藤倉 序章
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター:電子情報工学専攻
-
佐藤 好弘
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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