MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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Mgドープ量の異なるGaN表面にSiO_2保護膜を形成し,1000〜1100℃の高温でアニールを行い,アニール後のGaN表面の化学的特性,光学的特性を評価した.保護膜を形成しているのにもかかわらず,高温アニール中にGaN表面から,Gaが外方拡散することが分かった.また高Mgドープ試料では,アニール後のGaN表面にMg偏析が確認された.PL測定から,高温アニール後のMgドープGaN表面に深い準位が新たに形成され,Mgドープ量が高いほど,高密度の深い準位が生成することが分かった.また,深い準位の発光スペクトルのピーク位置および形状はMgドープ量により大きく異なり,形成される深い準位の成因は,Mgドープ量によって異なる可能性があることが分かった.
- 2009-11-12
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
小川 恵理
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
小川 恵理
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:crest-jst
-
Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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