ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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概要
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ナノメートルショットキーゲートGaN系ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)における相互コンダクタンス(g_m)のゲート長依存性劣化について,ゲートリーク電流との相関に注目し,実験的検討を行った.AlGaN表面制御プロセスとゲート周囲へのSiN不活性化膜形成を施したHFETを試作し,未処理の場合と比較して2桁のゲート電流低減を図った.これらの素子では,相互コンダクタンスのゲート長依存性は回復し,ゲート長を1000nmから300nmに短縮することでg_mは30%向上した.ゲート端からの横方向リーク電流がゲート周囲の表面を帯電することで実効的なゲート長を延長する仮想ゲートモデルに基づき,実験結果の解釈を試みた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-17
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
バジール アルベルト
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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