AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• デュアルゲート構造を用いてAlGaN/GaNヘテロ構造上のAlGaN表面を流れる電流と表面状態の関係について評価を行った。ゲート、オーミック電極間にバイアスストレスを印加することで、表面リーク電流が増大することを確認した。表面リーク電流の輸送機構はその温度依存性から、表面準位を介した二次元可変領域ホッピング(2D-VRH)が支配的であると考えられ、バイアスストレスによってゲート端からAlGaN表面への横方向の電子が注入されることで表面準位密度が増大した可能性が考えられる。またAlGaN/GaN HEMTのゲート、ドレイン間のAlGaN表面をO_2プラズマに曝すことで故意に酸化したところ、ドレイン電流減少及び電流コラプス効果の増大が確認された。以上から電極間のAlGaN表面がデバイス特性に大きく影響を与えることがわかった。

• 2009-05-07

著者

• 田島 正文

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田島 正文

  北海道大学

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

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