窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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GaN系デバイスの特性向上とデバイスプロセスの自由度を高めるための接合構造の形成と評価について報告する。まず、ショットキー接合の漏れ電流の低減とデバイス特性安定化のための表面プロセスを提案する。超薄Alを分子線堆積によりAlGaN表面に形成し、真空アニールにより酸素不純物のゲッタリングを試みた。このプロセスを行って作製したAlGaN/GaN HEMTにおいて、ゲートリーク電流の大幅な低減と安定性の向上が確認された。次に、窒化炭素(CN)を用いたGaN表面のポテンシャル制御とドーピングの可能性について調べた。ECRCVDにより数nmのCNを堆積した場合、n-GaN表面の表面ポテンシャルの減少が確認された。また、SiN/CN/n-GaN構造を1000℃で熱処理した場合、n-GaN表面の抵抗率が増加することが見いだされた。
- 2006-09-28
著者
-
木村 健
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
田島 正文
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
小谷 淳二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
水江 千帆子
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
-
木村 健
北海道大学工学研究科
-
加藤 寛樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
小川 恵理
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
田島 正文
北海道大学
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
水江 千帆子
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
-
小川 恵理
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:crest-jst
-
水江 千帆子
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
木村 健
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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