水江 千帆子 | 北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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水江 千帆子
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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水江 千帆子
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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水江 千帆子
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
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Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
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堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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小谷 淳二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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田島 正文
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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田島 正文
北海道大学
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橋詰 保
北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
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堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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木村 健
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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ミツェーク マルチン
Institute of Phisics, Silesian University of Technology
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木村 健
北海道大学工学研究科
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加藤 寛樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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小川 恵理
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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小川 恵理
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:crest-jst
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ミツェーク マルチン
Institute Of Phisics Silesian University Of Technology
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木村 健
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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松山 哲也
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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原田 脩央
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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ミツェーク マルチン
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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原田 脩央
北大量集センター情報科学研究科
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大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター
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大井 幸多
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 誠
昭和大学藤が丘病院呼吸器外科
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菅原 克也
北海道大学
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掘 祐臣
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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Takahashi H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
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掘 祐臣
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
著作論文
- 原子層堆積により形成したAl_2O_3/AlGaN/GaNの界面評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- AlGaNの表面制御とトランジスタ応用
- 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性
- AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価 (電子デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)