原子層堆積により形成したAl_2O_3/AlGaN/GaNの界面評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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デバイス特性の向上に効果的な絶縁膜/AlGaN/GaN構造の評価を目的とし、Al_2O_3を絶縁膜として界面特性の評価を行った。Al_2O_3膜はTri-methyl Aluminum(TMA)とH_2Oを材料とした原子層堆積(ALD)法により250℃で堆積し、N_2ガス中におけるアニール処理を行って用いた。X線光電子分光測定において、ALD-Al_2O_3膜から不純物ピークは検出されず、バンドギャップは6.7eVと見積もられた。ALD-Al_2O_3/AlGaN/GaN構造を作製し容量-電圧測定を行ったところ、Al_2O_3膜厚の増加に従って蓄積容量およびしきい値は系統的な変化を示した。しきい値のズレより、界面準位はおよそ〜5x10^<12>cm^<-2>eV^<-1>であると予想される。これらの結果は、AlGaN/GaN材料に対しALD法によるAl_2O_3絶縁膜が有望であることを示す。
- 2009-06-04
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
水江 千帆子
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
-
堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
-
ミツェーク マルチン
Institute of Phisics, Silesian University of Technology
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
水江 千帆子
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
-
堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
-
ミツェーク マルチン
Institute Of Phisics Silesian University Of Technology
-
水江 千帆子
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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