堀 祐臣 | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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概要
関連著者
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堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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水江 千帆子
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
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水江 千帆子
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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橋詰 保
北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
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水江 千帆子
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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Takahashi H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
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原田 脩央
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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原田 脩央
北大量集センター情報科学研究科
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赤澤 正道
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Akazawa M
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Hokkaido University
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Akazawa Masamichi
Research Center For Interface Quantum Electronics And Department Of Electrical Engineering Hokkaido
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金 聖植
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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金 聖植
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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金 聖植
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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赤澤 正道
北海道大学
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ミツェーク マルチン
Institute of Phisics, Silesian University of Technology
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Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
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ミツェーク マルチン
Institute Of Phisics Silesian University Of Technology
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Akazawa Masamichi
Graduate School Of Engineering Hokkaido University
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Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering And Research Center For Interface Quantu
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谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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Yatabe Zenji
Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan
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赤澤 正道
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター:JST-CREST
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馬 万程
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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谷田部 然治
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
著作論文
- 原子層堆積により形成したAl_2O_3/AlGaN/GaNの界面評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価 (電子デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響 (マイクロ波)
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響 (電子デバイス)
- AlInN/GaN系ヘテロ構造の表面・界面評価 (電子デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- AlInN/GaN系ヘテロ構造の表面・界面評価(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)