AlInN/GaN系ヘテロ構造の表面・界面評価(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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AlInN/GaN界面のバンドオフセットと、界面スペーサ層が電子密度分布に与える影響について評価した。角度分解XPS評価により、価電子帯のオフセットが約0.2eV、伝導帯オフセットが0.9eV程度であることが明らかになった。これらの値は、両性欠陥モデルに基づくフェルミ準位安定化エネルギーの計算から求めた値とよく一致した。表面モフォロジーの改善に効果のあるAl_<0.38>Ga_<0.62>Nスペーサ層は、Al_<0.82>In_<0.18>N/Al_<0.38>Ga_<0.62>N界面のポテンシャル井戸と分極による界面電荷により電子蓄積が生じることを明らかにした。これを抑制するためAl_<0.45>Ga_<0.55>Nスペーサ層を提案し、MOS構造のC-V評価により、AlInN/Al_<0.45>Ga_<0.55>N界面に電子蓄積が生じにくいことを示した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-07-19
著者
-
赤澤 正道
北海道大学
-
堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
赤澤 正道
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
Akazawa M
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Akazawa Masamichi
Graduate School Of Engineering Hokkaido University
-
Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Hokkaido University
-
Akazawa Masamichi
Research Center For Interface Quantum Electronics And Department Of Electrical Engineering Hokkaido
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Takahashi H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
-
堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
赤澤 正道
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター:JST-CREST
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