GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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概要
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原子層堆積法で形成したAl_2O_3膜を用いてGaNおよびAlGaN/GaN上に絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面準位の評価とその制御を試みた。界面準位密度を制御するため、Al_2O_3膜堆積前にN_2Oラジカル処理を行ったところ、Al_2O_3/n-GaN構造のC-V特性は理想特性に近づき、比較的低密度な界面準位密度が得られた。続いて、Al_2O_3/AlGaN界面準位密度を評価するために、Al_2O_3/AlGaN/GaN構造に対し光支援C-V測定を行った。光照射に起因するしきい値電圧シフトがN_2Oラジカル処理を行った場合に小さくなっていることから、Al_2O_3/AlGaN界面準位密度を低減が示唆された。
- 2012-01-04
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
-
橋詰 保
北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
-
堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
金 聖植
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
-
金 聖植
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Takahashi H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
-
金 聖植
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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