超薄膜Si形成のためのGaAs初期表面の検討とそのパッシベーション効果
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概要
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GaAs(001)表面上へのSi超薄膜の初期形成過程を最適化するために、(2×4)表面を初期表面として水素ガス処理、水素プラズマ処理、過剰As処理を施した表面をUHV-STM、XPS、UHV非接触C-V、UHV-PL法により評価し、処理表面の再構成の違いや各々の処理の効果を調べ、Si/GaAs界面の平坦化をはかると共に、表面のパッシベーション効果について検討した。過剰As処理を施した表面(c(4×4)表面)は平坦性が比較的良好であり、さらにこの表面に超薄膜Siを堆積した表面及び、その後にSi表面を部分窒化した表面では、XPSピーク位置の高エネルギー側へのシフト、PL発光強度の増加、C-V曲線における容量値の増大等が見られ、表面準位が低減している可能性があることが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-21
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学
-
武藤 守道
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻及び量子界面エレクトロニクス研究センター
-
鶴見 直大
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻及び量子界面エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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