鶴見 直大 | 北海道大学工学研究科電子情報工学専攻及び量子界面エレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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鶴見 直大
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻及び量子界面エレクトロニクス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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中澤 敏志
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社
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鶴見 直大
パナソニック株式会社半導体デバイス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社
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鶴見 直大
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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長谷川 英機
北海道大学
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武藤 守道
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻及び量子界面エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
著作論文
- 超薄膜Si形成のためのGaAs初期表面の検討とそのパッシベーション効果
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)